海力士發佈72層256Gb 3D閃存芯片



蘋果供應商海力士(SK Hynix)今天發佈了 72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48 層技術多1.5倍,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。

海力士自從2016年11月開始生產 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月開始生產。因為層數更多,利用現有的生產線,產能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開始量產。

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配備的 NAND 閃存供應商來自東芝和海力士。一些 iPhone 7 採用東芝 48 層 3D BiCS NAND 芯片,這種芯片之前從未出現在其他商業產品中。其他 iPhone 7 型號採用海力士閃存芯片。

32GB iPhone 7 比 128 GB 型號更慢,前者的數據讀取速度為 656 Mbps,後者為 856Mbps。東芝和海力士的內存芯片採用 15奈米工藝打造。

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